micro-LED与OLED有很多相似之处，因此与LCD相比，micro-LED与OLED的对比就显得更加容易理解。首先，从名字上就能看到而这都有LED，因此它们都主要是由发光二极管组成，因此两种技术都是采用自发光的形式，每个红、绿、蓝的亚像素都能自己产生光源，而不像LCD那样需要专门的背光组件。因此，micro-LED显示器同样能够提供极高的对比度和黑位水平，这一点与OLED一样，同时还有一个TFT面板为每个像素提供能量。

micro-LED与OLED的不同之处就在于其LED部分的材料组成。OLED中的“O”代表有机材料，它指的是在能够产生光的像素堆中使用有机材料。而micro-LED技术则使用的无机氮化镓材料，这种材料常用于普通的LED照明产品中。这种技术可以降低对极化和封装层的要求，能让显示面板更薄。因此micro-LED的组件都很小，宽度不到100μm，比人类的头发还细。如果从另一个角度来看这个问题，micro-LED就是传统LED通过更小的方式排放在阵列中。实际上LED并不是什么新技术，但在如此小的部件面板上排序阵列才是真正的困难。与其他显示面板技术相反的是，在智能手表和智能手机等小尺寸设备上使用的micro-LED屏幕更容易制造。而事实证明，现在想要增加micro-LED显示面板的面积困难很大。当然，由于焊接精度的要求很高，将更高的分辨率压缩到智能手机屏幕大小，困难也很大。

对面板制造商来说，目前一个尚未解决的问题就是如何将大量的LED转移到控制电路板上。有一个潜在的解决方案是，将LED集中放置到一个更大的阵列中，然后通过焊接完成显示。但这种方法的问题在于，目前选择和制造的精度为±34μm，而这并不符合micro-LED所需要的±1.5μm的精度要求。

还有一种代替的方案就是蚀刻LED阵列与IC连接，或将一个单独的TFT层转移到LED阵列中。这些蚀刻方法避免了芯片焊接的精度问题，但改进了用于满足微型发光元件的小尺寸部件要求，以及对高分辨率的显示方式实现起来也昂贵而且难以实现。目前整个制造业在这个方面的进步很缓慢，因此想要提高产量，还需要继续改进。

micro-LED的显示寿命也要比OLED更长。OLED烧屏现在依然还是个很大的问题，因为有机材料的使用寿命有限，尤其是蓝色OLED面板。micro-LED则没有这样的顾虑，甚至要比LCD在颜色转换之前持续的时间更长。而更小的micro-LED尺寸也可以让高分辨率更容易实现，比如4K甚至8K分辨率智能手机或虚拟现实屏幕等。说到虚拟现实技术，OLED面板的响应时间已经降低到了微秒级别，拥有非常不错的响应时间等级。而这让它们成为了虚拟现实应用最理想的选择。而改成micro-LED之后，响应时间又进一步降低到了纳秒级别，更快了1000倍。

micro-LED除了拥有上述优点之外，还在对比度、色域和柔性显示屏领域拥有更大的优势。这些都让micro-LED再与OLED相比时成为了优点，但是micro-LED的制造价格成本也要高很多，甚至是目前LCD或OLED面板的三到四倍。